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・Staff紹介 ・研究紹介 ・NewSUBARUビームライン紹介（ニュースバル放射光施設へ移動します） BL03 / BL09 / BL10 ・その他の研究設備 ・EUVリソグラフィー研究開発センターの沿革 専任staff： 教授・センター長： 原田 哲男 研究テーマ： 放射光ナノ計測と光応用 ・Reserch map 助教： 山川 進二 研究テーマ： 半導体リソグラフィー用次世代レジスト材料の開発（EUV・BEUV） ・Reserch map 秘書： 三宅（秘書） 山根（技術補佐員） 協力staff： 高度研教授： 鈴木 哲 高度研教授： 大河内 拓雄 （敬称略順不同） 研究紹介： 兵庫県立大学は、前身である姫路工業大学時より、高度産業科学技術研究所にてEUV（Extreme Ultraviolet: 極端紫外線）リソグラフィーの研究を進めてきました。 研究初期は、兵庫県立大学が所有するNewSUBARU放射光施設を利用し、EUVリソグラフィーの実証研究を行い、EUV露光光学系を提案しました。これはその後のASML社によるEUV露光機開発に繋がりました。 その後、EUVマスクにおける不良検査技術の開発、レジストの特性を評価するための感度特性評価装置の構築、EUV単一パターン転写による解像度評価装置の構築と、その時分におけるEUVリソグラフィーの課題に対して技術を開発、提供してきました。 この他にも、EUV多層膜やEUV用透過膜の反射率・透過率測定装置、EUV照射耐性評価装置など、企業がEUVで評価するための装置開発も展開しています。 以下に、その一例を示します。 1, 概要ポスター
2, 極端紫外線（EUV）リソグラフィー技術開発 ・EUV大面積露光装置の実証研究（1998〜2001年） 1998年から兵庫県立大学・ニコン・日立中央研究所の共同により、ニュースバル放射光施設BL03にEUV露光装置(ETS-1)を構築し、EUV大面積露光の実証研究が実施さたれた。 2001年には10 mm×10 mmの大面積の露光領域で60 nmのパタン形成を実証した。この成果は後のASML製EUV露光機の開発へと繋がった。 Fine Pattern Replication Using ETS-1 Three-Aspherical Mirror Imaging System (2002) ・EUVレジストの露光感度特性評価系の開発（〜現在） 感度評価系として、ニュースバルBL03においてMo/Si多層膜を用いた7回反射系を構築した。アップグレードしながら、2024年現在も感度評価実験を実施している。 Novel Evaluation System for Extreme Ultraviolet Lithography Resist in NewSUBARU (2005) ・BL09にEUV干渉露光系を構築した。これにより、1X nmHPまでのレジストのパタン評価が可能である。随時アップグレードを実施している。（〜現在） Development of Transmission Grating for EUV Interference Lithography of 1X nm HP (2015) Present Status of EUV Interference Lithography at NewSUBARU (2023) ・EUVマスク用欠陥検査技術の開発 EUVマスク用欠陥検査技術として、BL03にコヒーレントEUV光を用いた散乱計(CSM)を構築した。 Development of Coherent Extreme-Ultraviolet Scatterometry Microscope with High-Order Harmonic Generation Source for Extreme-Ultraviolet Mask Inspection and Metrology (2012) ・EUV光源用大型ミラー評価用大型反射率計の構築 2600 mm×2900 mmの大型反射率計をBL10bラインに構築した。EUV露光装置に使われる800 mmコレクターミラーの反射率測定を実施し、その反射強度分布を評価した。 Extreme-ultraviolet collector mirror measurement using large reflectometer at NewSUBARU synchrotron facility (2016) ・水素ガス導入可能なハイパワーEUV光照射チャンバーの構築（〜現在） BL09に70 Paまでの水素ガス導入可能なチャンバーを構築した。水素ガス雰囲気下、EUV光照射によってMo/Si多層膜ミラー表面の反射率が回復する挙動が観測された。 Hydrogen damage and cleaning evaluation of Mo/Si multilayer using high-power EUV irradiation tool (2021) 3, 新規材料分析系および材料の開発 現在のEUVリソグラフィーではレジスト材料の開発が最重要課題となっています。 EUVレジストには解像度（Resoulution）、線幅ばらつき（LER / LWR）、感度（Sensitivity）のいわゆるRLSトレードオフ解決が必須です。 線幅ばらつきの抑制のためにStochasticなファクターの評価方法や制御方法の開発、高感度EUVレジスト材料開発を実施しています。 at NewSUBARU BL10 ・Resonant Soft X-ray Scattering（軟X線共鳴散乱法）(2020) ・Reflection-mode Resonant Soft X-ray Scattering（反射型軟X線共鳴散乱法）(2023) ・Resonant Soft X-ray Reflectivity（軟X線共鳴反射率法）(2019) ・Reflection Type Soft X-ray Projection Microscope（反射型軟X線投影顕微鏡）(2023) ・LWRの抑制を指向したPAG-バウンド型レジストの評価を実施した。PAGをポリマー構造中に持たせたPAGバウンドレジストはLWRの抑制に効果的であり、レジスト設計の方針の１つとなった。 CA Resist with Side Chain PAG Group for EUV Resist (2006) 4, 次世代EUV技術開発 ・次世代EUV技術の１つであるBeyond-EUV照射系をBL10に構築した。Beyond-EUVは波長がEUV光の半分程度の波長であり、理論的にはEUVより微細なパタン形成が可能となる。 Beyond EUV measurement at NewSUBARU synchrotron light facility (2021) 5, X線イメージセンサー開発 ・90 - 1000 eVの領域全てで量子効率90%以上の高感度X線CMOSイメージセンサーを開発した。 High-exposure-durability, high-quantum-efficiency (>90%) backside-illuminated soft-X-ray CMOS sensor (2020) （随時更新） 研究設備： 高度研 ・クラス10クリーンルーム ・電子線リソグラフィ装置 エリオニクスELS-7500 ・自動接触角計 KRUSS DSA30 ・ドライエッチング装置 ・GPC Waters Alliance ・LC-MS Waters Alliance ・ASAP-MS Waters RADIAN ・TGA 島津 TGA-50 ・DSC 島津 DSC-60 plus ・基本的な有機合成実験設備一式 NewSUBARU ・BL-03 (EUVフラッド露光、アウトガス測定) ・BL-09 (EUV干渉露光、ハイパワーEUV照射) ・BL-10 (軟X線反射率、吸収分光、散乱測定) ・クラス100クリーンルーム ・FE-SEM(断面SEM) 日立 S-4500 ・CD-SEM(測長SEM) 日立 S-8840 ・イオンスパッタ 日立 E-1030 ・光干渉式膜厚測定計 ナノメトリクス NanoSpec6100 ・光干渉式膜厚測定計 東朋テクノロジー TohoSpec3100 ・光干渉式膜厚測定計 大塚電子 OPTM ・スピンコーター ミカサ EUVリソグラフィー研究開発センターの沿革：
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