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極端紫外光リソグラフィー関連研究

極端紫外光リソグラフィー(EUVL)技術は、2013年以降の32nm世代の半導体微細加工技術として最も期待されています。
EUVLの課題は、
1)無欠陥EUVマスクの製作、
2)高いパワーをもつEUV光源の開発、
3)高感度且つ高精度なEUVレジストの開発です。

我々はこれまでに極端紫外線顕微鏡を開発し、マスクの反射膜である多層膜中の位相欠陥の検出に成功しました。現在は更なる高度化を目指してコヒーレントスキャトロメトリ顕微鏡の開発を進めています。

一方、レジストの開発では、これまでにEUV用と電子線用に酸発生剤内包型レジストの開発を進めてきました。このレジストの特徴は感度が高く高精度な加工が可能なことです。
更に、20nm世代以降に対応するEUV用レジストの評価をするためのEUV干渉露光系の開発を進めています。



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