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2013 International Workshop on EUVLにてBest Paper Awardを受賞

高度産業科学技術研究所極端紫外線リソグラフィ研究開発センター 渡邊健夫准教授は、6月10日から6月14日の間に開催された2013 International Workshop on EUVLにて、Best Paper Award First Priceを受賞した。この国際会議は毎年ハワイで開催されており、極端紫外線リソグラフィ(EUVL)技術に関する国際会議です。このEUVL技術は、半導体微細加工技術で22 nm世代以降の半導体量産技術に採用される。この会議で渡邊健夫氏は、極端紫外線リソグラフィセンター(Center for EUVL; CEL)の活動内容、マスク欠陥検査技術の開発、並びに1X nm世代のレジスト技術開発について、合計3件の報告を行った。この賞は今回初めて創設された賞であり、口頭発表の中で、オリジナリティ、EUVL技術分野に与えるインパクト、発表内容の充実度に対して、最も優れた発表に与えられる賞である。審査員は組織委員に加え、発表者および聴講者の全てが投票に加わり、これらの投票の合計点で受賞者が決定された。3件の講演に対して、全ての項目で最もインパクトがあった講演として、高い評価がなされた。これらの研究成果は、EUVL技術を用いた半導体の量産に向けた技術開発として期待されている。

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