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JJAP誌のTop 20 Most Downloaded Articles (February 2013)に当研究所の新部准教授の論文がランクインしました

“Damage Analysis of n-GaN Crystal Etched with He and N2 Plasmas”
Masahito Niibe, Takuya Kotaka, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano, Takeshi Inaoka, Kikuo Tominaga, and Takashi Mukai
Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 01AF04

本研究は、n-GaN結晶をプラズマエッチングしたときに起こるエッチングダメージの影響を、軟X線吸収分光(XAS)法を用いて評価したものです。新部准教授の研究グループは、ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングにおいては、イオンのインパクトによる物理的効果の他に、プラズマから放射される紫外線の照射がエッチング速度や表面欠陥、内部点欠陥等の生成に大きく影響するというシナジー効果を提唱してきました。本研究では、表面敏感な全電子収量(TEY)法とバルク敏感な全蛍光収量(TFY)法を併用した放射光分析法により、生成する欠陥の深さ分布や用いたイオン種によるダメージの差違を分析し、その差違をイオンのエネルギー移動理論を用いてほぼ説明できることを明らかにしました。

http://www.ipap.jp/jjap/mostDL/most_downloaded.cgi?year=2013&month=2

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